这是三星采用自家的2nm GAA（环绕栅极）制程技术打造的旗舰SoC，预计会在 2026年年初的Galaxy S26系列手机 上首发登场。

GAA 是继 FinFET 之后的下一代晶体管架构，它能更好地控制电流、降低漏电，同时提升性能和能效。简单说就是：

“跑得更快，发热更少，电池更耐用。”

而2nm制程，就是目前已知商用芯片里最先进的线宽，每一个晶体管都比病毒还小，真的是纳米级操作。